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G3R350MT12D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R350MT12D
No. Parte Newark89AH0986
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R350MT12D
No. Parte Newark89AH0986
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id11A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69V
Disipación de Potencia74W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
Núm. de Contactos
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
74W
Rango de Producto
G3R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto