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GA50SICP12-227
MOSFET de carburo de silicio, Co-Pack, Sencillo, Canal N, 50 A, 1.2 kV, SOT-227
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA50SICP12-227
No. Parte Newark08X5878
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Diseño de TransistorSOT-227
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd67W
Temperatura de Trabajo Máx.-
Disipación de Potencia67
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOT-227
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
67W
Disipación de Potencia
67
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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