Imprimir página
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte Fabricante2N7002DWH6327XTSA1
No. Parte Newark47Y8194
También conocido como2N7002DW H6327, SP000917596
Hoja de datos técnicos
187 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.312 |
| 10+ | $0.170 |
| 25+ | $0.152 |
| 50+ | $0.133 |
| 100+ | $0.114 |
| 250+ | $0.105 |
| 500+ | $0.095 |
| 1000+ | $0.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.31
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte Fabricante2N7002DWH6327XTSA1
No. Parte Newark47Y8194
También conocido como2N7002DW H6327, SP000917596
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N300
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P300
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.6
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500
Disipación de Potencia de Canal P500
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza 2N7002DWH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The 2N7002DW H6327 is a dual N-channel OptiMOS™ Small Signal Transistor designed for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Fast switching
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
300
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.6
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
300
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.6
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto