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AUIRF3205Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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5 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 10+ | $1.860 |
| 50+ | $1.710 |
| 100+ | $1.710 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.330 |
| 2500+ | $1.310 |
| 5000+ | $1.290 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.02
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF3205Z
No. Parte Newark27T9865
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0049ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0065ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd170W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia170W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El AUIRF3205Z es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0049ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza AUIRF3205Z
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto