AUIRF7759L2TR

AUIRF7759L2TR es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único automotriz de 75 V en un paquete DirectFET® L8 clasificado en 26 ampers optimizado con baja resistencia de encendido. Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son esenciales. La plataforma de empaquetado avanzada DirectFET® combinada con la última tecnología de silicio permite que este MOSFET ofrezca ahorros sustanciales a nivel de sistema y mejoras de rendimiento específicamente en accionamientos de motores, CD-CD de alta frecuencia y otras aplicaciones de carga pesada en plataformas ICE, HEV y EV. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de encendido y un bajo Qg por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET son una temperatura de unión operativa de 175 °C y una alta capacidad de corriente máxima repetitiva. Estas características se combinan para convertirlo en un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones automotrices de alta corriente. Las aplicaciones incluyen accionamiento de motor automotriz de 48V, accionamiento de motor sin escobillas y dirección asistida eléctrica.

• Tecnología de proceso avanzada, tamaño excepcionalmente pequeño y perfil bajo
• Alta densidad de potencia, bajos parámetros parásitos, refrigeración de doble cara
• Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
• El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de 75V a VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25 °C
• La resistencia de drenaje a fuente estática es de 1.8mohms típica a VGS = 10V, ID = 96A, TJ = 25 °C
• La corriente de fuga de drenaje a fuente es de 20µA como máximo a VDS = 75 V, VGS = 0 V, TJ = 25 °C.
• La carga total de la compuerta es de 200nC típica a VDS = 38V, TJ = 25 °C
• El tiempo de retardo de encendido es de 18ns típico a VDD = 38V, VGS = 10V, ID = 96A, RG = 1.8 ohms.
• La corriente de fuente continua (diodo del cuerpo) es de 160A como máximo.
• Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175 °C