AUIRFN8459TR

El AUIRFN8459TR es un MOSFET de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este producto un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones. Las aplicaciones incluyen sistemas automotrices de 12V, motores de CD con escobillas, frenado y transmisión.

• Tecnología de proceso avanzada, MOSFET de doble canal N
• Resistencia de encendido ultrabaja y conmutación rápida
• Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
• Calificado automotriz
• Paquete PQFN Doble
• El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de 40V a VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25 °C
• La resistencia estática de drenaje a fuente es de 4.8 mohm típico a VGS = 10V, ID = 40A, TJ = 25 °C
• La corriente de fuga de drenaje a fuente es de 150µA a VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
• La carga total de la puerta es de 40nC típico a ID = 40A, TJ = 25 °C
• Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175 °C