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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRL7732S2TR
No. Parte Newark91Y4167
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001521366
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6600µohm
Diseño de TransistorDirectFET SC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd41W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia41
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Diseño de Transistor
DirectFET SC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
41W
Disipación de Potencia
41
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza AUIRL7732S2TR
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto