Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
252 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.057 |
10+ | $0.057 |
25+ | $0.057 |
50+ | $0.057 |
100+ | $0.057 |
250+ | $0.057 |
500+ | $0.057 |
1000+ | $0.057 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.06
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFR193E6327HTSA1
No. Parte Newark79Y4025
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo12V
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Frecuencia de Transición8
Disipación de Potencia580
Disipación de Potencia Pd580mW
Corriente del Colector Continua80
Corriente de Colector DC80mA
Encapsulado de Transistor RFSOT-23
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE70hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BFR193E6327HTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Disipación de Potencia
580
Corriente del Colector Continua
80
Encapsulado de Transistor RF
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
12V
Frecuencia de Transición
8
Disipación de Potencia Pd
580mW
Corriente de Colector DC
80mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
70hFE
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto