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BSC021N08NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC021N08NS5ATMA1
No. Parte Newark42AH1616
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2100µohm
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia214
Disipación de Potencia Pd214W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0016ohm
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
214
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto