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                      BSC028N06NSATMA1

                      MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial

                      INFINEON BSC028N06NSATMA1
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteINFINEON
                      No. Parte FabricanteBSC028N06NSATMA1
                      No. Parte Newark79X1329
                      También conocido comoBSC028N06NS, SP000917416
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      100+$1.220
                      250+$1.220
                      500+$1.140
                      1000+$1.060
                      Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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                      Múltiple: 1
                      $1.45
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                      Información del producto

                      FabricanteINFINEON
                      No. Parte FabricanteBSC028N06NSATMA1
                      No. Parte Newark79X1329
                      También conocido comoBSC028N06NS, SP000917416
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Transistor, PolaridadCanal N
                      Tipo de CanalN Channel
                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
                      Intensidad Drenador Continua Id100A
                      Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025ohm
                      Diseño de TransistorTDSON
                      Montaje de TransistorSurface Mount
                      Disipación de Potencia Pd83W
                      Voltaje de Prueba Rds(on)10V
                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
                      Disipación de Potencia83W
                      Núm. de Contactos8Pines
                      Temperatura de Trabajo Máx.150°C
                      Rango de Producto-
                      Calificación-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

                      Resumen del producto

                      El BSC028N06NS es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. El MOSFET presenta un RDS (encendido) un 40% menor que los dispositivos alternativos. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.

                      • Mayor eficiencia del sistema
                      • Se requiere menos paralelismo
                      • Aumento de la densidad de potencia
                      • Ahorro de espacio
                      • Sobreimpulso de muy bajo voltaje
                      • Resistencia térmica superior

                      Especificaciones técnicas

                      Transistor, Polaridad

                      Canal N

                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

                      60V

                      Resistencia de Activación Rds(on)

                      0.0025ohm

                      Diseño de Transistor

                      TDSON

                      Disipación de Potencia Pd

                      83W

                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

                      2.8V

                      Núm. de Contactos

                      8Pines

                      Rango de Producto

                      -

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 1 - Unlimited

                      Tipo de Canal

                      N Channel

                      Intensidad Drenador Continua Id

                      100A

                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

                      0.0025ohm

                      Montaje de Transistor

                      Surface Mount

                      Voltaje de Prueba Rds(on)

                      10V

                      Disipación de Potencia

                      83W

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      150°C

                      Calificación

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (21-Jan-2025)

                      Documentos técnicos (4)

                      Application Note EN

                      Technical Data Sheet EN

                      Technical Data Sheet EN

                      Simulation Model EN

                      Alternativas para el número de pieza BSC028N06NSATMA1

                      8 productos encontrados

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

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