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BSC042NE7NS3GATMA1
MOSFET, N-CH, 75V, 100A, PG-TDSON- 8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC042NE7NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1331
También conocido comoBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Hoja de datos técnicos
155 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.130 |
| 10+ | $1.750 |
| 25+ | $1.660 |
| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.450 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC042NE7NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1331
También conocido comoBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0037ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia125
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC042NE7NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ que se especializa en aplicaciones de rectificación síncrona. Basados en la tecnología líder de 80V, estos productos de 75V presentan simultáneamente las resistencias en estado ON más bajas y un rendimiento de conmutación superior.
- El mejor rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Clasificación MSL1
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD a CD
- Nivel normal
- Resistencia térmica superior
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Dispositivo verde
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0037ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSC042NE7NS3GATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto