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BSC050NE2LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 58 A, 0.005 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC050NE2LSATMA1
No. Parte Newark47Y7994
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia Pd28W
Disipación de Potencia28
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Optimized for high performance buck converter
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
28W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
28
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto