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BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0057 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC057N08NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1332
También conocido comoBSC057N08NS3 G, SP000447542
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.550 |
| 10+ | $1.740 |
| 25+ | $1.580 |
| 50+ | $1.410 |
| 100+ | $1.240 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $1.000 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$12.75
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC057N08NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1332
También conocido comoBSC057N08NS3 G, SP000447542
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0057ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0047ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd114W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia114
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC057N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 80 V que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo (<lt/>0.7mm)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- RDS(on) de muy baja resistencia a la conexión
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0057ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
114W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0047ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
114
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC057N08NS3GATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto