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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC059N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2499
También conocido comoBSC059N04LS G, SP000391499
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC059N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2499
También conocido comoBSC059N04LS G, SP000391499
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id73
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0059ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0049ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC059N04LS G es un MOSFET de potencia de canal N de 40 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. El MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0059ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
73
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0049ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto