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BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 110 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC060P03NS3EGATMA1
No. Parte Newark79X1334
También conocido comoBSC060P03NS3E G, SP000472984
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC060P03NS3EGATMA1
No. Parte Newark79X1334
También conocido comoBSC060P03NS3E G, SP000472984
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0041ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC060P03NS3EGATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
El BSC060P03NS3E G es un MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ que cumple constantemente con las más altas demandas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de energía, como resistencia en estado ON y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Nivel normal, nivel lógico o nivel superlógico
- 100% avalancha
- Protegido contra ESD
- Calificado para JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6000µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0041ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto