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BSC076N06NS3GATMA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC076N06NS3GATMA1.
No. Parte Newark25AC6433
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC076N06NS3GATMA1.
No. Parte Newark25AC6433
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0062
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTDSON
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TDSON
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0062
Disipación de Potencia Pd
69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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