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BSC077N12NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC077N12NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1335
También conocido comoBSC077N12NS3 G, SP000652750
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.100 |
| 10+ | $1.810 |
| 25+ | $1.690 |
| 50+ | $1.600 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.10
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC077N12NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1335
También conocido comoBSC077N12NS3 G, SP000652750
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id98
Resistencia de Activación Rds(on)0.0066ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0077ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd139W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia139
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC077N12NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado ON más bajas de la industria y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología OptiMOS™ de 120V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- MSL1 clasificado 2
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Calificado según JEDE para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Nivel normal
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0066ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
139W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
98
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0077ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
139
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC077N12NS3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto