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BSC093N04LSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC093N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2507
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoBSC093N04LS G, SP000387929
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC093N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2507
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoBSC093N04LS G, SP000387929
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia35
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC093N04LSGATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
El BSC093N04LS G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9300µohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia Pd
35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto