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BSC093N04LSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC093N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2507
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoBSC093N04LS G, SP000387929
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC093N04LSGATMA1
No. Parte Newark60R2507
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoBSC093N04LS G, SP000387929
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id49
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9300µohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia35
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC093N04LSGATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
El BSC093N04LS G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia Pd
35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto