Imprimir página
Opciones de embalaje
6,826 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.560 |
10+ | $0.560 |
25+ | $0.560 |
50+ | $0.560 |
100+ | $0.560 |
250+ | $0.560 |
500+ | $0.560 |
1000+ | $0.560 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.56
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC098N10NS5ATMA1
No. Parte Newark12AC9448
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.0082ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9800µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia69
Disipación de Potencia Pd69W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 5 de canal N de 100 V
- Optimizado para SMPS de alto rendimiento
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0082ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
69
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto