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BSC120N03MSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 39 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC120N03MSGATMA1
No. Parte Newark60R2514
También conocido comoBSC120N03MS G, SP000311516
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.560 |
| 100+ | $0.418 |
| 500+ | $0.328 |
| 1000+ | $0.254 |
| 2500+ | $0.231 |
| 10000+ | $0.214 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC120N03MSGATMA1
No. Parte Newark60R2514
También conocido comoBSC120N03MS G, SP000311516
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id39A
Resistencia de Activación Rds(on)0.01ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd28W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia28W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC120N03MS G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería. Está disponible en configuración de medio puente.
- Fácil de diseñar en
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- MOSFET de conmutación rápida para SMPS
- Optimizado para la aplicación del controlador de 5V
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON) @ VGS = 4.5V
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Resistencia térmica superior
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
39A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
28W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.01ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia Pd
28W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto