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BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC123N08NS3GATMA1
No. Parte Newark60R2515
También conocido comoBSC123N08NS3 G, SP000443916
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.500 |
| 10+ | $1.060 |
| 100+ | $0.819 |
| 500+ | $0.656 |
| 1000+ | $0.564 |
| 2500+ | $0.554 |
| 10000+ | $0.542 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC123N08NS3GATMA1
No. Parte Newark60R2515
También conocido comoBSC123N08NS3 G, SP000443916
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0103ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd66W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia66W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC123N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ de referencia líder en rendimiento. Es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para aplicaciones de generación de energía, suministro de energía y consumo de energía.
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Resistencia térmica superior
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo
- Nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
66W
Disipación de Potencia
66W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0103ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto