BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
Resumen del producto
El BSC320N20NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 200 V ideal para la conmutación de alta frecuencia, logrando un rendimiento excelente en aplicaciones como la rectificación síncrona para SMPS de CA-CD y el control del motor. El MOSFET OptiMOS™ está optimizado para la robustez de la conmutación dura, logrando Qrr bajo y cargas de recuperación inversa pico más bajas. Se trata de tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD-CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores para motores de CD.
- La más alta eficiencia
- La más alta densidad de potencia
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Mejora de costos del sistema
- Amigable con el medio ambiente
- Fácil de diseñar en
Especificaciones técnicas
N Channel
200
0.027ohm
TDSON
10
3
8Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
36
0.032ohm
Surface Mount
125W
125
150
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC320N20NS3GATMA1
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto