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BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC600N25NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1338
También conocido comoBSC600N25NS3 G, SP000676402
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.050 |
| 10+ | $2.800 |
| 25+ | $2.550 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$20.25
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC600N25NS3GATMA1
No. Parte Newark79X1338
También conocido comoBSC600N25NS3 G, SP000676402
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia125
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSC600N25NS3 G es un producto MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología de referencia líder OptiMOS™. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- El RDS más bajo de la industria (ON)
- Qg y Qgd más bajos
- La calificación FOM y MSL 1 más baja del mundo
- La más alta eficiencia
- Densidad de potencia más alta
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC600N25NS3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto