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BSD235CH6327XTSA1
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSD235CH6327XTSA1
No. Parte Newark47Y8000
También conocido comoBSD235C H6327, SP000917610
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.473 |
| 10+ | $0.290 |
| 25+ | $0.253 |
| 50+ | $0.215 |
| 100+ | $0.178 |
| 250+ | $0.157 |
| 500+ | $0.137 |
| 1000+ | $0.120 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.36
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSD235CH6327XTSA1
No. Parte Newark47Y8000
También conocido comoBSD235C H6327, SP000917610
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id950mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N950
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P950
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.266
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.266
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500
Disipación de Potencia de Canal P500
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon's famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.
- Complementary P + N channel
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
950mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
950
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.266
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
950
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.266
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSD235CH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto