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BSP322PH6327XTSA1
MOSFET, P-CH, -100V, -1A, SOT-223-4
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP322PH6327XTSA1
No. Parte Newark68AC4422
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.820 |
| 25+ | $0.738 |
| 50+ | $0.658 |
| 100+ | $0.576 |
| 250+ | $0.526 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP322PH6327XTSA1
No. Parte Newark68AC4422
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia1.8W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSP322PH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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