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BSS139H6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS139H6327XTSA1
No. Parte Newark87X8601
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)7.8ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-1.4V
Disipación de Potencia360mW
Disipación de Potencia Pd360mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BSS139H6327XTSA1 is a N-channel, SIPMOS® small signal transistor in a PG-SOT-23 package.
- Depletion mode, dv /dt rated
- 0.10A continuous drain current (at T j=25°C), 0.4A pulsed drain current (TA=25°C)
- 6kV/µs reverse diode dv /dt (D=0.1A, VDS=200V, di /dt =200A/µs, T j max=150°C)
- Gate source voltage is ±20V, 350K/W max thermal resistance, junction (ambient)
- 250V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=-3V, ID=250µA)
- Gate threshold voltage range from -2.1 to -1V (VDS=3V, ID=56µA)
- 30mA minimum on-state drain current (VGS=0V, VDS=10V)
- 0.13S typical transconductance ( VDS <gt/>2 ID RDS(on)max, ID=0.08A)
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia de Activación Rds(on)
7.8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-1.4V
Disipación de Potencia Pd
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS139H6327XTSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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