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BSS209PWH6327XTSA1.
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS209PWH6327XTSA1.
No. Parte Newark31AC8236
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS209PWH6327XTSA1.
No. Parte Newark31AC8236
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id630
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.379
Resistencia de Activación Rds(on)0.379ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd300mW
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.379
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
630
Resistencia de Activación Rds(on)
0.379ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto