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BSZ014NE2LS5IFATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 40 A, 0.00145 ohm, TSDSON-FL, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ014NE2LS5IFATMA1
No. Parte Newark39AH8780
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.00125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00145ohm
Diseño de TransistorTSDSON-FL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia Pd69W
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00125ohm
Diseño de Transistor
TSDSON-FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
69W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00145ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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