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BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ123N08NS3GATMA1
No. Parte Newark60R2542
También conocido comoBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ123N08NS3GATMA1
No. Parte Newark60R2542
También conocido comoBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0103ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd66W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia66W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSZ123N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 80V que ofrece soluciones altamente eficientes para la generación de energía (p. ej., microinversor solar), suministro de energía (p. ej., servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (p. ej., vehículo eléctrico). El OptiMOS™ MOSFET ofrece el RDS (encendido) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo (<lt/>0.7mm)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0103ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
66W
Disipación de Potencia
66W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto