Imprimir página
BSZ440N10NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 18 A, 44 mohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ440N10NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3367
También conocido comoBSZ440N10NS3 G, SP000482442
Hoja de datos técnicos
4,019 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.321 |
| 10+ | $0.321 |
| 100+ | $0.321 |
| 500+ | $0.321 |
| 1000+ | $0.321 |
| 2500+ | $0.321 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.32
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ440N10NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3367
También conocido comoBSZ440N10NS3 G, SP000482442
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.038ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd29W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia29
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSZ440N10NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en RDS (ON) como en FOM.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Amigable con el medio ambiente
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Libre de halógenos
- MSL1 clasificado 2
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.038ohm
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
29W
Disipación de Potencia
29
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto