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FF200R12KE3HOSA1
Módulo IGBT, Doble, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R12KE3HOSA1
No. Parte Newark13AC8638
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R12KE3HOSA1
No. Parte Newark13AC8638
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente del Colector Continua295A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia1.05kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTIGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
295A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
1.05kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FF200R12KE3HOSA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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