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FF3MR12KM1HSHPSA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 200A, MODULE ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF3MR12KM1HSHPSA1
No. Parte Newark51AM2049
Rango de Producto62 mm C Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 57 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $449.220 |
| 5+ | $444.830 |
| 10+ | $440.570 |
| 30+ | $423.330 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$449.22
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF3MR12KM1HSHPSA1
No. Parte Newark51AM2049
Rango de Producto62 mm C Series
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id200A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4400µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto62 mm C Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4400µohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
62 mm C Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto