FM24C64B-GTR

FM24C64B-GTR es una F-RAM serial (I²C) de 64 Kbit (8K × 8). Es una memoria no volátil de 64 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona una retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24C64B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. La aplicación incluye un variador de motor de uso general (frecuencia y voltaje variables), tiras de LED y señalización.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 64 Kbit organizada lógicamente como 8 K × 8
• Alta resistencia: 100 billones de lecturas/escrituras, retención de datos durante 151 años
• Escritura No Delay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 1MHz, reemplazo directo de hardware para EEPROM serial (I²C)
• Admite tiempos heredados de 100KHz y 400KHz
• La corriente en espera es de 4µA típica (SCL=SDA=VDD)
• Rango de operación de voltaje de 4.5V a 5.5V
• La capacitancia del pin de salida (SDA) es 8pF máximo (TA=25 °C, f=1 MHz, VDD=VDD(típico))
• La resistencia térmica (de la unión al ambiente) es de 147 °C/W
• Paquete SOIC de 8 - pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 a +85 °C