FM25V20A-G

FM25V20A-G es una memoria no volátil de 2 Mbit (F-RAM serial (SPI)) que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la memoria flash serial, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, FM25V20A realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Es capaz de soportar 10¹⁴ ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM. Esto hace que el FM25V20A sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas.

• No Delay™ escribe
• Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad y retención de datos de 151 años
• Rango de voltaje de de 2V a 3.6V
• SPI muy rápido (hasta 40 MHz de frecuencia, admite modo SPI 0 (0, 0) y modo 3 (1, 1))
• Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM
• Esquema sofisticado de protección contra escritura (protección de SW mediante instrucción de desactivación de escritura)
• Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz
• Consumo de energía de 800µA activo a 1MHz, 100µA (típico) en modo de espera y 3µA en modo de suspensión
• Paquete SOIC de 8 pines
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C