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GS61008PMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.970 |
| 10+ | $8.050 |
| 25+ | $7.640 |
| 50+ | $6.870 |
| 100+ | $6.290 |
| 250+ | $5.630 |
| 500+ | $5.350 |
| 1000+ | $5.030 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS61008PMRXUSA1
No. Parte Newark42AM5352
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9500µohm
Carga de Compuerta Típica8nC
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines5Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9500µohm
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
5Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Carga de Compuerta Típica
8nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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