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GS61008TTRXUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.720 |
| 10+ | $9.660 |
| 25+ | $9.190 |
| 50+ | $8.300 |
| 100+ | $7.640 |
| 250+ | $6.890 |
| 500+ | $6.560 |
| 1000+ | $6.190 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.72
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS61008TTRXUMA1
No. Parte Newark42AM5355
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095
Carga de Compuerta Típica8
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
90
Carga de Compuerta Típica
8
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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