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GS66502BMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.350 |
| 10+ | $10.190 |
| 25+ | $9.660 |
| 50+ | $8.680 |
| 100+ | $7.950 |
| 250+ | $7.120 |
| 500+ | $6.770 |
| 1000+ | $6.360 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$11.35
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS66502BMRXUSA1
No. Parte Newark42AM5356
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.26
Carga de Compuerta Típica1.6
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.26
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Carga de Compuerta Típica
1.6
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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