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GS66506TTRXUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.060 |
| 10+ | $15.700 |
| 25+ | $14.490 |
| 50+ | $13.330 |
| 100+ | $12.160 |
| 250+ | $11.350 |
| 500+ | $10.660 |
| 1000+ | $10.120 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS66506TTRXUMA1
No. Parte Newark42AM5361
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id22.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Carga de Compuerta Típica4.5
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
22.5
Carga de Compuerta Típica
4.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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