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IAUC120N04S6N006ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 120 A, 600 µohm, TDSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIAUC120N04S6N006ATMA1
No. Parte Newark24AJ0704
Rango de ProductoOptiMOS 6
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente600
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia187
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 6
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 6
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
600
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Disipación de Potencia
187
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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