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IGO60R070D1AUMA2
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGO60R070D1AUMA2
No. Parte Newark58AJ2276
Rango de ProductoCoolGaN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07ohm
Carga de Compuerta Típica5.8nC
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Núm. de Contactos20Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Carga de Compuerta Típica
5.8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Núm. de Contactos
20Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto