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IMBF170R650M1XTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBF170R650M1XTMA1
No. Parte Newark91AH7662
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id7.4
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.526ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.526
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia88
Disipación de Potencia Pd88W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.526
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
88W
Rango de Producto
CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.526ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
88
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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