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IMBG120R060M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 50+ | $6.140 |
| 100+ | $5.690 |
| 250+ | $5.690 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R060M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5309
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia181
Disipación de Potencia Pd181W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
181W
Rango de Producto
CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
181
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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