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IMBG120R350M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R350M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5313
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id4.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Núm. de Contactos7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd65W
Disipación de Potencia65W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
Núm. de Contactos
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
65W
Rango de Producto
CoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
65W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto