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IMBG40R011M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG40R011M2HXTMA1
No. Parte Newark12AM7804
Rango de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Hoja de datos técnicos
396 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.900 |
| 10+ | $12.470 |
| 25+ | $12.370 |
| 50+ | $12.270 |
| 100+ | $12.160 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG40R011M2HXTMA1
No. Parte Newark12AM7804
Rango de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id133
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0144
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia429
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
133
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0144
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
429
Rango de Producto
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto