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IMT65R033M2HXUMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 68A, HSOF-8 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R033M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1124
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
118 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.120 |
| 10+ | $8.740 |
| 25+ | $8.280 |
| 50+ | $7.810 |
| 100+ | $7.350 |
| 250+ | $6.950 |
| 500+ | $6.540 |
| 1000+ | $5.920 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.12
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R033M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1124
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id68A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorHSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia312W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
312W
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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