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IMT65R033M2HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R033M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1124
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Hoja de datos técnicos
178 En Stock
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50 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
128 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.570 |
| 10+ | $6.510 |
| 25+ | $6.150 |
| 50+ | $5.780 |
| 100+ | $5.430 |
| 250+ | $5.150 |
| 500+ | $4.870 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.57
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R033M2HXUMA1
No. Parte Newark26AM1124
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id68
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03
Diseño de TransistorHSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia312
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
68
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
312
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto