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IMTA65R033M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMTA65R033M2HXTMA1
No. Parte Newark27AM0109
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
300 En Stock
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100 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
200 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.960 |
| 10+ | $7.010 |
| 25+ | $6.620 |
| 50+ | $6.230 |
| 100+ | $5.850 |
| 250+ | $5.550 |
| 500+ | $5.250 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.96
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMTA65R033M2HXTMA1
No. Parte Newark27AM0109
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id68
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03
Diseño de TransistorLHSOF
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia315
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
68
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
LHSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
315
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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