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IMW120R350M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
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| 25+ | $2.420 |
| 50+ | $2.370 |
| 100+ | $2.350 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW120R350M1HXKSA1
No. Parte Newark29AH1036
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id4.7
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Diseño de TransistorTO-247
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia60
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
60
Rango de Producto
CoolSiC
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
4.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IMW120R350M1HXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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