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IMW65R007M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R007M2HXKSA1
No. Parte Newark14AM7264
Rango de ProductoCoolSiC Series
46 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $42.190 |
| 5+ | $39.920 |
| 10+ | $37.660 |
| 25+ | $35.390 |
| 50+ | $33.140 |
| 100+ | $32.230 |
| 480+ | $31.340 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R007M2HXKSA1
No. Parte Newark14AM7264
Rango de ProductoCoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id171A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia625W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
171A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085ohm
Núm. de Contactos
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
625W
Rango de Producto
CoolSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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