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IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R027M1HXKSA1
No. Parte Newark78AH7248
Rango de ProductoCoolSiC M1
Hoja de datos técnicos
184 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $18.170 |
| 10+ | $18.090 |
| 25+ | $12.700 |
| 50+ | $12.100 |
| 100+ | $11.760 |
| 480+ | $11.490 |
| 720+ | $11.460 |
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Múltiple: 1
$18.17
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R027M1HXKSA1
No. Parte Newark78AH7248
Rango de ProductoCoolSiC M1
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id47A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia189W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolSiC M1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027ohm
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
189W
Rango de Producto
CoolSiC M1
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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