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IMZ120R030M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
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| 50+ | $10.720 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZ120R030M1HXKSA1
No. Parte Newark29AH1037
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id56
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia227
Disipación de Potencia Pd227W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
227W
Rango de Producto
CoolSiC
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
227
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IMZ120R030M1HXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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