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IMZ120R030M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZ120R030M1HXKSA1
No. Parte Newark29AH1037
Rango de ProductoCoolSiC
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id56A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd227W
Disipación de Potencia227W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
227W
Rango de Producto
CoolSiC
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IMZ120R030M1HXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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